[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410020221.5 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104716120A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 郑世杰;卢东宝 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构包括：装置；在所述装置上方的导电衬垫；及安置在所述导电衬垫上的Ag1-xYx合金柱，其中所述Ag1-xYx合金的Y包含以任意重量百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且其中所述Ag1-xYx合金的X在0.005至0.25的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于其包含：装置；在所述装置上方的导电衬垫；及安置在所述导电衬垫上的Ag1‑xYx合金柱，其中所述Ag1‑xYx合金的Y包含以任意重量百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且其中所述Ag1‑xYx合金的X在0.005至0.25的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南茂科技股份有限公司;，未经南茂科技股份有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410020221.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率模块、电源变换器以及功率模块的制造方法
- 下一篇：封装结构及其制法
