[发明专利]一种整合式微机电元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410020879.6 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103964372A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 谢哲伟 | 申请（专利权）人： | 亚太优势微系统股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一整合式微机电元件及其制造方法，在制造方法中是利用牺牲层辅助来使多层微机电结构晶圆整合至电路晶圆上，形成的微机电元件具有包括结构具备平坦的表面形貌、及能使用单晶硅及多晶硅等稳定的高温成型材料等优点，特别适用于具高填充因子的微机电数组元件的制作。本发明的有益效果包括：解决在牺牲层移除时电路晶圆上的膜层材料同时被蚀刻破坏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整合 式微 机电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)提供一元件晶圆，于该元件晶圆上依序形成图案化的一第一牺牲层、与一第一结构层；(b)提供一电路晶圆，该电路晶圆上至少具有一图案化的第一结合层；(c)将该元件晶圆与该电路晶圆相对接合，以使该第一结合层与该第一结构层相接；(d)图案化该元件晶圆，以形成图案化的一第二结构层，并露出部分的该第一牺牲层；及(e)移除该第一牺牲层。
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