[发明专利]钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201410020887.0 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103762315A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 孟庆波;徐余颛;石将建;罗艳红;李冬梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48;H01L51/46 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范晓斌;薛峰 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法。所述钙钛矿基薄膜太阳电池，包括：钙钛矿结构的有机金属半导体吸光层；在所述有机金属半导体吸光层上形成的电子阻挡层，所述电子阻挡层由有机电子阻挡材料形成；以及在所述电子阻挡层上形成的金属对电极。本发明通过设置电子阻挡层实现了对电极与钙钛矿型有机卤化铅材料之间的欧姆接触，无需进行进一步掺杂即可以实现良好的背接触，避免了对钙钛矿型有机卤化铅材料进行难度较大的重掺杂，并获得高效率钙钛矿基薄膜太阳电池。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿基 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钙钛矿基薄膜太阳电池，包括：钙钛矿结构的有机金属半导体吸光层；在所述有机金属半导体吸光层上形成的电子阻挡层，所述电子阻挡层由有机电子阻挡材料形成；以及在所述电子阻挡层上形成的金属对电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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