[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201410022154.0 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN104425236A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 井口知之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种形状的偏差少的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备对包含硅的部件进行干法刻蚀的工序。上述干法刻蚀在第一压力范围或第二压力范围中实施，该饱和压力为即使增加压力刻蚀速率也不继续增加的压力，该第二压力范围为，实现将压力设为上述饱和压力时的刻蚀速率的一半的刻蚀速率的压力以下的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，具备对包含硅的部件进行干法刻蚀的工序，上述干法刻蚀在第一压力范围或第二压力范围中实施，该第一压力范围为，将饱和压力乘以0.85后得到的压力以上的范围，该饱和压力为即使增加压力刻蚀速率也不继续增加的压力，该第二压力范围为，实现将压力设为上述饱和压力时的刻蚀速率的一半的刻蚀速率的压力以下的范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
