[发明专利]半导体晶片封装体及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体晶片封装体及其制造方法。上述半导体晶片封装体包含半导体晶片、多个孔洞、绝缘层、导电层以及封装层，其中，所述孔洞自半导体晶片的下表面朝上表面延伸，包含至少一个第一孔洞以及至少一个第二孔洞，而绝缘层自半导体晶片的下表面朝上表面延伸，部分的绝缘层位于所述孔洞之中。其中，绝缘层覆盖各第一孔洞的全部孔壁但仅覆盖各第二孔洞的一部分孔壁，导电层位于绝缘层之下且填满所述孔洞，而封装层位于导电层之下。本发明具有较小的半导体晶片封装体尺寸且接地贯孔的制作无须以独立的微影蚀刻制程制作，具有更低的制造成本。

主权项

一种半导体晶片封装体，其特征在于，包含：一半导体晶片，具有一上表面及一下表面，且具有设置于该上表面处的至少一感应元件、以及电性连接于该感应元件的至少一连接垫结构；多个孔洞，所述孔洞自该半导体晶片的该下表面朝该上表面延伸，且包含：至少一个第一孔洞，该第一孔洞接触该连接垫结构且露出该连接垫结构的一部分；以及至少一个第二孔洞，该第二孔洞不接触该连接垫结构；一绝缘层，位于该半导体晶片的该下表面，且部分的该绝缘层位于所述孔洞之中，其中，该绝缘层覆盖各该第一孔洞的全部孔壁但仅覆盖各该第二孔洞的一部分孔壁；以及一导电层，自该半导体晶片的该下表面朝该上表面延伸，部分的该导电层位于所述孔洞之中，其中，位于该第一孔洞内的该导电层通过该连接垫结构电性连接该感应元件。