[发明专利]一种芯片的集成方法在审
| 申请号： | 201410023146.8 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN104795354A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 李新;戚德奎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种芯片的集成方法，包括以下步骤：S1：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底正面制作有源器件；S2：接着在所述半导体衬底正面制作若干深入所述半导体衬底中的TSV导电柱，所述TSV导电柱未穿透所述半导体衬底；S3：采用金属互连工艺在所述半导体衬底正面形成正面金属互连层；S4：将所述半导体衬底背面减薄直至露出所述TSV导电柱；S5：在所述半导体衬底背面形成无源器件，所述无源器件通过所述TSV导电柱及所述正面金属互连层与所述有源器件连接。本发明将有源器件和无源器件集成到一片芯片的正背面并通过TSV互连，使制作的芯片面积减小，厚度降低，厚度减小可达到60%以上，满足芯片更加小型化的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片的集成方法，其特征在于，所述芯片的集成方法至少包括以下步骤：S1：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底正面制作有源器件；S2：接着在所述半导体衬底正面制作若干深入所述半导体衬底中的TSV导电柱，所述TSV导电柱未穿透所述半导体衬底；S3：采用金属互连工艺在所述半导体衬底正面形成正面金属互连层；S4：将所述半导体衬底背面减薄直至露出所述TSV导电柱；S5：在所述半导体衬底背面形成无源器件，所述无源器件通过所述TSV导电柱及所述正面金属互连层与所述有源器件连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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