[发明专利]一种VDMOS及其制作方法有效
| 申请号： | 201410023545.4 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN104795440B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 马万里;刘竹;闻正锋 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直双扩散场效应晶体管VDMOS及其制作方法，用以解决现有技术中存在的在制作多晶硅层和P型体区时存在累积偏差，使得P型体区与多晶硅层之间形成的沟道长度及精度不可控的问题。该制作方法包括：在外延层上形成氧化层；在氧化层上制作抗氧化层，并对抗氧化层的预设区域进行刻蚀，形成P型体区窗口；通过P型体区窗口向外延层注入三族元素形成P型体区；进行P型体区的驱入，并在P型体区窗口继续进行氧化层的生长；去除抗氧化层及上述氧化层，在外延层表面形成台阶；在去除了抗氧化层及氧化层的外延层上形成栅氧化层，栅氧化层表面与外延层表面形状相同，在栅氧化层上以外延层表面的台阶为套准标记制作多晶硅窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直双扩散场效应晶体管VDMOS的制作方法，其特征在于，包括：在外延层上形成氧化层；在所述氧化层上制作抗氧化层，并对所述抗氧化层的预设区域进行刻蚀，形成P型体区窗口；通过所述P型体区窗口向所述外延层注入三族元素，形成P型体区；进行P型体区的驱入过程中，在所述P型体区窗口内的氧化层继续生长；或者，进行P型体区的驱入后，在所述P型体区窗口继续进行氧化层的生长；去除所述抗氧化层及所述氧化层，在所述外延层表面形成台阶；在去除了所述抗氧化层及所述氧化层的外延层上形成栅氧化层，所述栅氧化层表面与所述外延层表面形状相同，在所述栅氧化层上以所述外延层表面的台阶为套准标记制作多晶硅窗口。
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