[发明专利]电子发射源有效
申请号: | 201410024419.0 | 申请日: | 2014-01-20 |
公开(公告)号: | CN104795295B | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 柳鹏;李德杰;张春海;周段亮;杜秉初;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J17/06 | 分类号: | H01J17/06;H01J17/49 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种电子发射源,其包括依次层叠设置的一第一电极,一半导体层,一绝缘层以及一第二电极,其中,所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层,所述电子收集层为一导电层。 | ||
搜索关键词: | 电子 发射 | ||
【主权项】:
一种电子发射源,其包括:依次层叠设置的一第一电极,一半导体层,一绝缘层以及一第二电极,其特征在于,还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层,所述电子收集层为一导电层,且所述电子收集层包括一碳纳米管层,该碳纳米管层具有多个空隙,该多个空隙从所述碳纳米管层的厚度方向贯穿所述碳纳米管层。
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