[发明专利]具有介电表面波陷波器的导体装置有效
| 申请号： | 201410025153.1 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103972627B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | S.马蒂厄斯;W.伦兹 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01P3/06 | 分类号： | H01P3/06;A61B5/055;G01R33/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 任宇 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种导体装置，该导体装置具有导体(3)，该导体(3)沿导体轴线(4)延伸。此外，导体装置具有表面波陷波器(9)，导体(3)与表面波陷波器(9)耦连用于衰减在导体装置外部由高频激励场(F)激励的表面波。表面波陷波器(9)设计成介电振荡装置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面波 陷波 导体 装置 | ||
【主权项】：
一种导体装置，‑其中，所述导体装置具有沿导体轴线(4)延伸的导体(3)，‑其中，所述导体装置具有表面波陷波器(9)，所述导体(3)与所述表面波陷波器(9)电耦连以便衰减由在所述导体装置外部由高频激励场(F)激发的表面波，其特征在于，所述表面波陷波器(9)设计成介电振荡装置，所述介电振荡装置(9)具有至少两个相互耦合的介电振荡元件(9a，9b)，并且能调节所述介电振荡元件(9a，9b)彼此相对的布置以便将所述介电振荡装置(9)与所述高频激励场(F)的频率(f)相协调。
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