[发明专利]一种用于PECVD反应腔的绝热导电装置及其应用有效
申请号: | 201410025402.7 | 申请日: | 2014-01-21 |
公开(公告)号: | CN104789946B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 刘传生;杨飞云;陈金元;谭晓华 | 申请(专利权)人: | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明揭示了一种用于PECVD反应腔的绝热导电装置,所述绝热导电装置位于温度高于400℃的PECVD反应腔内,所述绝热导电装置包括由绝热材料构成的绝热体和在所述绝热体表面涂覆的导电层,所述导电层的厚度应大于等于导电层材料的趋肤深度,本发明能够实现高温PECVD反应腔内良好的绝热和导电的作用,克服了现有技术中因为绝热材料同时又是绝缘材料所导致的加热板产生悬浮电位而影响等离子体场的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 pecvd 反应 绝热 导电 装置 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种用于PECVD反应腔的绝热导电装置,其特征在于:所述绝热导电装置位于温度高于400℃的PECVD反应腔内,且设置于为基板提供热量的加热板和所述PECVD反应腔的腔体壁之间,所述PECVD反应腔用于制造AMOLED,所述绝热导电装置包括:由绝热材料构成的绝热体和在所述绝热体表面涂覆的导电层,所述导电层内流经高频电磁波,所述导电层的厚度应大于等于导电层材料的趋肤深度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的