[发明专利]一种用于PECVD反应腔的绝热导电装置及其应用有效

专利信息
申请号: 201410025402.7 申请日: 2014-01-21
公开(公告)号: CN104789946B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 刘传生;杨飞云;陈金元;谭晓华 申请(专利权)人: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
主分类号: C23C16/513 分类号: C23C16/513
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种用于PECVD反应腔的绝热导电装置,所述绝热导电装置位于温度高于400℃的PECVD反应腔内,所述绝热导电装置包括由绝热材料构成的绝热体和在所述绝热体表面涂覆的导电层,所述导电层的厚度应大于等于导电层材料的趋肤深度,本发明能够实现高温PECVD反应腔内良好的绝热和导电的作用,克服了现有技术中因为绝热材料同时又是绝缘材料所导致的加热板产生悬浮电位而影响等离子体场的问题。
搜索关键词: 一种 用于 pecvd 反应 绝热 导电 装置 及其 应用
【主权项】:
一种用于PECVD反应腔的绝热导电装置,其特征在于:所述绝热导电装置位于温度高于400℃的PECVD反应腔内,且设置于为基板提供热量的加热板和所述PECVD反应腔的腔体壁之间,所述PECVD反应腔用于制造AMOLED,所述绝热导电装置包括:由绝热材料构成的绝热体和在所述绝热体表面涂覆的导电层,所述导电层内流经高频电磁波,所述导电层的厚度应大于等于导电层材料的趋肤深度。
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