[发明专利]一种用于硅表面直接电镀光滑致密银薄膜的溶液及电镀方法

摘要

本发明涉及一种用于硅表面直接电镀光滑致密银薄膜的溶液及电镀方法，该方法以表面洁净并除去表面SiO2氧化层的硅作为电镀基底，在合适的电镀银溶液中，采用控制电位法在硅表面镀上光滑致密的银薄层。银薄层表面光滑平整、由细小的银颗粒堆积而成，颗粒粒径小于20nm，银薄层表面粗糙度优于5nm，厚度5～200nm。本发明方法具有操作简单、快速、成本低和重现性高等优点。

主权项

一种硅表面直接电镀光滑致密银薄膜的方法，包括以下步骤：(1)电镀银溶液制备；电镀银溶液中含有亚硫酸银，以银离子的质量浓度计为8～15g/L，五水硫代硫酸钠120～180g/L，无水亚硫酸钠8～20g/L，硼酸5～12g/L，丁二酰亚胺10～25g/L，添加剂聚乙烯亚胺0.05～0.5mL/L，另一种添加剂二碘酪氨酸或硫脲0.1～0.8mg/L，用硼酸或氢氧化钠调节镀液的pH 5～8，镀液温度25～50℃；(2)硅表面清洁，并除去表面SiO2氧化层；(3)硅表面电镀银：将经过表面清洁，并除去表面SiO2氧化层的硅直接浸入含有电镀银液的三电极电解池中，采用控制电位方法，选择合适的电镀电位和时间，对硅基体进行镀银；采用的控制电位法为恒电位法或电势阶跃法，所述恒电位法的电镀电位为‑0.5～‑1.2V，电镀时间为0.05～10s；所述电势阶跃法的沉积条件为‑0.5～‑1.2V，0.1～1s；0.2～‑0.2V，0.1～1s。