[发明专利]一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用有效
| 申请号： | 201410026998.2 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103966621A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张荣;陶涛;智婷;谢自力;刘斌;陈鹏;修向前;韩平;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B11/04;C23C16/44;C23C16/40 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm-5um，InGaN层、10nm-1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。GaN层厚度1-5μm、InGaN层厚度100-500nm；DBR层为8-16周期，高折射率与低折射率的材料两者厚度分别为40-70nm和60-90nm。利用生长DBR布拉格反射镜在InGaN电极背面来增强光催化分解水效率的方法，实现了较低的暗电流和低开启电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 布拉格 反射 增强 ingan 电极 制备 利用 | ||
【主权项】：
一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm‑5um，InGaN层、10nm‑1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。
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