[发明专利]磁传感装置的制备方法有效
| 申请号： | 201410027085.2 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104793153B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张挺;杨鹤俊;邱鹏;王宇翔 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司31242 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种磁传感装置的制备方法，包括含有CMOS的基底上设有第一金属层；在第一金属层上沉积绝缘自停止层，而后沉积第一介质材料，形成通孔，沉积金属材料，图形化，光刻，形成第二金属层；沉积第二介质材料，采用化学机械抛光平坦化停在第二金属层上，同时，保留1000～5000A厚度的第二介质材料；打开通孔，沉积金属，进行光刻，引出第二金属层；形成沟槽，刻蚀时自停止在绝缘自停止层上方；沉积第三介质材料；沉积磁材料，图形化；生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层，并通过沟槽的应用形成导磁单元；沉积绝缘材料，形成绝缘材料层；打开窗口，将磁材料AMR上的电极引出，将其他电极引出。本发明便于引出金属，可提高制备效率及正品率。 | ||
| 搜索关键词： | 传感 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁传感装置的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：步骤S101、含有外围电路的基底上设有第一金属层或MIM电容；步骤S102、在第一金属层上沉积绝缘自停止层，而后沉积第一介质材料，形成通孔，沉积金属材料引出第一金属层，图形化，光刻，形成金属图形，作为第二金属层；步骤S103、沉积第二介质材料，采用化学机械抛光平坦化停在第二金属层上，同时，保留1000～15000A厚度的第二介质材料；步骤S104、在第二介质材料层形成通孔，并打开通孔，沉积金属，进行光刻，引出第二金属层；步骤S105、在绝缘自停止层上方、第二金属层的一侧形成沟槽，刻蚀沟槽时自停止在绝缘自停止层上方；步骤S106、在步骤S105形成的物件上沉积第三介质材料；步骤S107、沉积磁材料，图形化；生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层，并通过沟槽的应用形成导磁单元；步骤S108、沉积绝缘材料，形成绝缘材料层；步骤S109、打开窗口，将磁材料层上的电极引出，并将其他电极引出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海矽睿科技有限公司，未经上海矽睿科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410027085.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
