[发明专利]独立的一维共轴纳米结构

摘要

本发明公开了一种独立的一维共轴纳米结构，包括独立的导电纳米线和电化学活性物质层，导电纳米线的外侧裹覆有电化学活性物质层。本发明的独立的一维共轴纳米结构的独立的导电纳米线提供有效的模板支持，具有导电性，能提供充放电子导电通道，不需要特别导电添加剂，电化学活性物质包附在导电纳米线外，形成独立的一维共轴纳米结构。

主权项

一种独立的一维共轴纳米结构，其特征在于：由脱离基片束缚的导电纳米线(1)和电化学活性物质层(2)和膜(3)组成的粉末，所述导电纳米线(1)的外侧裹覆有所述电化学活性物质层(2)，所述导电纳米线(1)的直径为10‑100nm，所述电化学活性物质层(2)的厚度为(0nm，995nm]；所述电化学活性物质层(2)外侧设置有一层膜(3)，所述电化学活性物质层(2)和膜(3)之间具有间隙，该膜(3)为碳膜、Al2O3膜、TiO2膜、CdS膜或Fe2O3膜。