[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体装置有效
| 申请号： | 201410027529.2 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103972254B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 山口哲司;长畑和典;三浦利仁;泷本香织 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种固态摄像装置，包括具有多个单元像素的像素部分，该多个单元像素二维地设置成矩阵形式，其中单元像素包括表面相邻于多层配线层的第一导电类型的导电区域和形成在第一导电区域内的第二导电类型的电荷累积区域，其中电荷累积区域由分隔部分与导电区域相邻于多层配线层的表面分隔，并且包括设置在导电区域中的接触体，该接触体电连接电荷累积区域和多层配线层的外部配线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的导电区域，具有相邻于多层配线层的表面；第二导电类型的电荷累积区域，形成在该第一导电类型的导电区域内，其中该电荷累积区域由分隔部分与该导电区域的相邻于该多层配线层的表面分隔；以及接触体，设置在该导电区域中，该接触体将该电荷累积区域和该多层配线层的外部配线电连接，其中该多层配线层设置在该导电区域的光接收表面的相反侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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