[发明专利]基底剥离装置、剥离基底的方法及制造显示装置的方法有效
| 申请号： | 201410027800.2 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104051313B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 林亨哲;金英求;赵显俊 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 王占杰,冯敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种基底剥离装置、一种剥离基底的方法以及一种用于制造显示装置的方法。将具有功率密度的激光提供给基底结合体。所述基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底。将第二基底与第一基底分离。测量与第二基底分离的第一基底的光学性质。基于第一基底的光学性质调节激光的功率密度。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 剥离 装置 方法 制造 显示装置 | ||
【主权项】：
一种用于剥离基底的方法，所述方法包括：给基底结合体提供具有功率密度的激光，其中，基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底；将第二基底与第一基底分离；测量与第二基底分离的第一基底的光学性质；以及基于第一基底的光学性质调节激光的功率密度，其中，光学性质包括第一基底的透光率，并且测量第一基底的光学性质的步骤包括：给第一基底提供测试光使得测试光穿过第一基底；接收穿过第一基底的测试光；以及从接收的测试光计算第一基底的透光率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
