[发明专利]基于雪崩二极管高次倍频得到太赫兹波的腔体

摘要

本发明公开了一种基于雪崩二极管高次倍频得到太赫兹波的腔体。包括低通滤波电路、馈电同轴、倍频腔体、短路调谐滑块、雪崩二极管、特氟龙介质和馈电同轴内导体；倍频腔体为矩形腔体，馈电同轴内贯穿馈电同轴内导体，馈电同轴的下端穿过倍频腔体通过特氟龙介质后，馈电同轴内导体底面和低通滤波电路连接，馈电同轴内的馈电同轴内导体上端顶在雪崩二极管的顶部，短路调谐滑块从倍频腔体的长度方向插入，调节倍频腔体的横轴长度来匹配对应雪崩二极管的高次谐波。同轴输入结构使外部的匹配网络具有灵活性，根据不同雪崩二极管不同阻抗特性作相应调整；具有损耗低、结构简洁、容易匹配；填充的特氟龙介质具有固定同轴内导体和促进雪崩二极管阻抗匹配。

主权项

一种基于雪崩二极管高次倍频得到太赫兹波的腔体，其特征在于：包括低通滤波电路（3）、馈电同轴（4）、倍频腔体（5）、短路调谐滑块（6）、雪崩二极管（7）、特氟龙介质（8）和馈电同轴内导体（9）；倍频腔体（5）为矩形腔体，馈电同轴（4）内贯穿馈电同轴内导体（9），馈电同轴（4）的下端穿过倍频腔体（5）通过特氟龙介质（8）后，馈电同轴内导体（9）底面和低通滤波电路（3）连接，馈电同轴（4）内的馈电同轴内导体（9）上端顶在雪崩二极管（7）的顶部，短路调谐滑块（6）从倍频腔体（5）的长度方向插入，调节倍频腔体（5）的横轴长度来匹配对应雪崩二极管的高次谐波，即所需频率的太赫兹波；直流信号通过外部匹配电路（1）输入到雪崩二极管倍频腔体（2），经过低通滤波电路（3），通过馈电同轴（4）加载到雪崩二极管（7），使得雪崩二极管（7）处于击穿状态；所述馈电同轴（4）下端和低通滤波电路（3）接触处填充特氟龙介质（8），该介质固定馈电同轴内导体（9）和匹配雪崩二极管（7）阻抗，馈电同轴（4）上端对接雪崩二极管（7），采用顶部馈电方式给雪崩二极管（7）加载电信号。