[发明专利]水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法在审
| 申请号： | 201410029601.5 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103741203A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈达贵;黄丰;林璋;黄嘉魁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法。所述的矿化剂为氯化铵和溴化铵的混合物，其中溴化铵的含量为0～90%之间，该矿化剂溶于水所形成的水溶液可以应用于水热法生长CuI晶体，生长的CuI晶体为γ相。生长方法为：在100～230℃和1.9～30Mpa条件下，加入氯化铵和溴化铵混合物的水溶液，利用低温水热法实现优质CuI晶体的生长。得到的CuI晶体可以用于宽禁带半导体光电子器件制作上，同时还可以作为超快闪烁晶体用于超高计数率电子束及γ和X射线测量中。由于提供的水热法生长CuI单晶的矿化剂水溶液在空气中比较稳定，因此有利于矿化剂的重复使用，从而降低晶体生长成本。 | ||
| 搜索关键词： | 水热法 生长 cui 矿化剂 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法，其特征在于：所述的矿化剂为氯化铵和溴化铵的混合物，其中溴化铵的含量为0～90%之间，该矿化剂溶于水所形成的矿化剂水溶液可以应用于水热法生长CuI晶体。
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