[发明专利]一种基于复合漏极的高压器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于复合漏极的高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN层，线性AlGaN层上设有p‑GaN层，P‑GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。本发明在器件导通时的导通电阻得到减小，而在截止状态时的击穿电压得到提高，兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减小。

主权项

一种基于复合漏极的高压器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有厚度为L的线性AlGaN层，其Al组分随着线性AlGaN层厚度的增加从势垒层AlGaN中Al组分x线性增加到线性AlGaN层的Al组分最大值y，即从AlGaN势垒层与线性AlGaN层的界面处到线性AlGaN层任一厚度L1处的Al组分含量为(y‑x)×L1/L，所述线性AlGaN层中的Al组分含量为0～1之间，线性AlGaN层上设有p‑GaN层，p‑GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极,所述栅极和复合漏极之间的p‑GaN层和线性AlGaN层同时存在的区域宽度d1＞0，仅有线性AlGaN层的区域宽度d2＞0。