[发明专利]EUV光刻部件、制备方法和掺杂二氧化钛的石英玻璃有效
| 申请号： | 201410030505.2 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103941539B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 毎田繁;大塚久利;上田哲司;江崎正信 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;C03B20/00 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及EUV光刻部件、制备方法和掺杂二氧化钛的石英玻璃。具体地，本发明涉及一种由掺杂二氧化钛的石英玻璃制成的部件，其中在垂直于EUV反射表面的表面中条纹具有至少150毫米的曲率半径。该部件没有暴露的条纹并且具有高的平整度，在EUV光刻中是有用的。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 部件 制备 方法 掺杂 氧化 石英玻璃 | ||
【主权项】：
1.一种由掺杂二氧化钛的石英玻璃制成的EUV光刻部件，该石英玻璃包含在垂直于EUV光反射表面的表面中具有至少150毫米的曲率半径的条纹，/n其中所述EUV光刻部件在没有热成形的情况下直接由掺杂二氧化钛的石英玻璃锭形成，该石英玻璃锭已经通过区域熔融法进行了均质化处理并在均质化处理后具有至少220mm的直径。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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