[发明专利]非易失性半导体存储装置以及半导体装置有效
| 申请号： | 201410030707.7 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103971735B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 见谷真;渡边考太郎 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 非易失性半导体存储装置以及半导体装置。能够在向非易失性存储元件进行数据写入之前，生成写入后的状态，提高微调的精度。具备向非易失性存储元件发送写入数据的写入数据发送电路、连接在非易失性存储元件与数据输出端子之间的第一开关、与写入数据发送电路的输出端子连接的第三开关以及控制各个开关的控制逻辑电路，控制逻辑电路进行这样的控制：当输入了测试模式信号时，仅使第一开关和第三开关导通，在向非易失性存储元件进行写入之前，将写入数据向数据输出端子输出。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 以及 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，其具备：非易失性存储元件；数据输出端子，其输出所述非易失性存储元件的数据；锁存电路，其与所述数据输出端子连接，保持所述数据；写入数据发送电路，其向所述非易失性存储元件输出写入数据；第一开关，其连接在所述非易失性存储元件与所述数据输出端子之间；第二开关，其连接在所述数据输出端子与低电压侧电源供给端子之间；第三开关，其连接在所述非易失性存储元件与所述写入数据发送电路的输出端子之间；第四开关，其连接在所述非易失性存储元件与高电压侧电源供给端子之间；以及控制逻辑电路，其控制所述各个开关，该非易失性半导体存储装置的特征在于，所述控制逻辑电路具备测试端子，所述控制逻辑电路进行如下控制：在向所述测试端子输入了测试模式信号时，利用第一控制信号使所述第一开关导通，利用第二控制信号使所述第二开关断开，利用第三控制信号使所述第三开关导通，利用第四控制信号使所述第四开关断开，将所述写入数据发送电路的写入数据输出至所述数据输出端子。
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