[发明专利]一种P型晶体硅太阳能电池的钝化层及其钝化工艺无效
| 申请号： | 201410031066.7 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103746007A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李爱丽;刘吉人;万资仁;唐维泰;余钦章;李文艳;罗伟;潘若宏;张志红 | 申请（专利权）人： | 通用光伏能源（烟台）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 烟台双联专利事务所(普通合伙) 37225 | 代理人： | 梁翠荣 |
| 地址： | 265500 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型晶体硅太阳能电池的钝化层及其钝化工艺，钝化层是由氧化铒构成。其钝化工艺为在晶体硅电池的制作中，当P型晶体硅完成沉积减反射膜工序后，先在P型晶体硅衬底背光面的P型一侧沉积氧化铒钝化层，然后进行退火处理，在钝化层与P型晶体硅衬底背光面的P型一侧之间形成SiO2缓冲层，完成钝化层的制备。本发明采用氧化铒作为晶硅电池钝化层，能提高晶格匹配度，从而降低晶硅表面的缺陷态密度，提高钝化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 钝化 及其 工艺 | ||
【主权项】：
一种P型晶体硅太阳能电池的钝化层，其特征是该钝化层是由氧化铒构成。
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