[发明专利]晶圆图参数调整方法及系统有效
申请号: | 201410031191.8 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN104810301B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 王肃珂 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 陈振 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆图参数调整方法及系统,其中方法包括如下步骤在装载盒顶部和底部分别插入第一晶圆和第二晶圆,接收到晶圆图参数调整命令信号后,控制升降台带动装载盒上升;晶圆检测传感器实时扫描装载盒,并产生脉冲信号;计算机控制脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数存储至第一存储模块中相应的存储位置处;根据脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数,计算并检验晶圆参数;根据晶圆参数,计算晶圆图参数,并将晶圆图参数存储至第二存储模块中。其通过计算机进行脉冲信号的采集和晶圆图参数的计算,有效提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 晶圆图 参数 调整 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种晶圆图参数调整方法,其特征在于,包括如下步骤:S100,在装载盒顶部和底部分别插入第一晶圆和第二晶圆,接收到晶圆图参数调整命令信号后,控制升降台带动所述装载盒上升;S200,晶圆检测传感器实时扫描所述装载盒,并产生脉冲信号;S300,计算机控制所述脉冲信号的上升沿对应的升降台位置参数/下降沿对应的升降台位置参数存储至第一存储模块中相应的存储位置处;S400,根据所述脉冲信号的所述上升沿对应的升降台位置参数/所述下降沿对应的升降台位置参数,计算并检验晶圆参数;S500,根据所述晶圆参数,计算晶圆图参数,并将所述晶圆图参数存储至第二存储模块中;其中,当所述晶圆检测传感器扫描到所述第一晶圆时,产生第一脉冲信号;当所述晶圆检测传感器扫描到所述第二晶圆时,产生第二脉冲信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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