[发明专利]一种太阳能电池的钝化层及其制备工艺无效
申请号: | 201410031420.6 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN103746009A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 罗伟;刘吉人;万资仁;唐维泰;余钦章;李文艳;李爱丽;潘若宏;张志红 | 申请(专利权)人: | 通用光伏能源(烟台)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 烟台双联专利事务所(普通合伙) 37225 | 代理人: | 梁翠荣 |
地址: | 265500 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池的钝化层及其制备工艺,其特征是钝化层是由稀土氮化物构成。钝化层的制备工艺为当P型晶体硅完成沉积减反射膜工序后,先采用有机化学气相沉积方法(MOCVD)在P型晶体硅衬底的P型一侧沉积稀土氮化物钝化层,然后在同一腔室内,在稀土氮化物钝化层上沉积铝保护膜,完成钝化层的制备。本发明因采用稀土氮化物制作晶硅电池的钝化层,晶格匹配良好,且具有场效应钝化和化学钝化的双重作用,所以钝化效果良好。稀土氮化物钝化层由MOCVD方法制备,获得的钝化层晶体结构完整,缺陷密度低,与晶硅衬底晶格匹配性好,保证了电池的钝化效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 钝化 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的钝化层,其特征是该钝化层是由稀土氮化物构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的