[发明专利]匀气结构及等离子体系统在审
| 申请号： | 201410032672.0 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104810238A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李广 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种匀气结构及等离子体系统，所述匀气结构包括匀气板与进气板；所述匀气板上设置通孔；所述进气板覆盖在所述匀气板的通孔上，所述进气板上设置喷气孔。所述等离子体系统包括腔体、介质窗、喷嘴与所述的匀气结构；所述介质窗置于所述腔体的开口上；所述介质窗的中部设置安装孔，所述喷嘴插入所述安装孔中；所述匀气板置于所述喷嘴的下方，并安装于所述介质窗上；气体从所述喷嘴中流入，经由所述通孔与所述喷气孔位置对应的重叠部分，通入所述腔体内。通过上述方案达到提高刻蚀均匀性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 等离子体 系统 | ||
【主权项】：
一种匀气结构，其特征在于，包括匀气板与进气板；所述匀气板上设置通孔；所述进气板覆盖在所述匀气板的通孔上，所述进气板上设置喷气孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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