[发明专利]常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法及系统在审
申请号: | 201410033290.X | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN104805418A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 王艳领 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 陈振 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明公开了一种常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法及系统,其中方法包括:在工艺开始前,设置机台的初始状态为空闲状态并进行H |
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搜索关键词: | 常压 化学 气相淀积 中的 工艺流程 控制 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法,其特征在于,包括以下步骤:S100,在工艺开始前,设置机台的初始状态为空闲状态并进行H2 吹扫;S200,将工艺流程划分为放片流程、工艺过程以及取片流程,其中,所述放片流程中包括放片前的准备动作、放片动作以及放片后的结束动作,所述取片流程中包括取片前的准备动作、取片动作以及取片后的结束动作,控制所述机台依次执行所述放片前的准备动作、放片动作、放片后的结束动作、工艺过程、取片前的准备动作、取片动作以及取片后的结束动作;S300,在工艺结束后,设置所述机台的结束状态为空闲状态并进行H2 吹扫;其中,所述放片前的准备动作为:在第一机械手从片盒中取第一片晶片之前,控制工艺腔进行H2 吹扫,并且执行找原点操作;所述放片动作为:S11,控制第一机械手从片盒中取片;S12,开启外阀,控制交换腔进行吹扫准备,控制第一机械手将晶片放到所述交换腔中,关闭外阀,控制所述交换腔进行N2 吹扫;S13,控制调整机构进行调整操作;S14,开启内阀,控制第二机械手从所述交换腔中取片,关闭内阀,控制所述交换腔进行N2 吹扫;S15,开启门阀,控制传输腔进行N2 吹扫,控制第二机械手将所述晶片放入工艺腔中;S16,判断工艺所需的晶片是否都传输到所述工艺腔中,即第二机械手是否将工艺所需的最后一片晶片传输到所述工艺腔中,若判断为否,则返回S11;所述放片后的结束动作为:在第二机械手将工艺所需的最后一片晶片传输到工艺腔中后,关闭门阀,控制传输腔停止N2 吹扫。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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