[发明专利]一种硅基APD红外敏感增强的方法有效
| 申请号： | 201410034337.4 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103746041A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 孙芳魁 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/107 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种硅基APD红外敏感增强的方法，属于光电探测器件制造领域。所述方法在SF6气体氛围下对硅基APD的衬底进行飞秒辐照掺杂工艺。本发明利用飞秒激光在SF6气体氛围下辐照硅片使得其在近红外区域的红外敏感度显著增强，在1064nm波段的量子探测效率从原来13%提高到30%，拓展了硅基APD吸收光子的截止波长，可使硅基APD器件在近红外微弱信号探测、光通信领域以及激光行业的应用得到进一步的扩展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 apd 红外 敏感 增强 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基APD红外敏感增强的方法，其特征在于所述方法在SF6气体氛围下对硅基APD的衬底进行飞秒辐照掺杂工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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