[发明专利]一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201410034788.8 申请日: 2014-01-24
公开(公告)号: CN103762222A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 詹腾;郭金霞;田婷;伊晓燕;王莉;李璟;王国宏 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法,芯片由至少一个单元模块组成,该单元模块包含至少一个LED微晶粒;各LED微晶粒之间互相绝缘隔离集成于衬底上,且各单元模块中的LED微晶粒之间以及单元模块之间通过互联引线的方式串联在一起。在制造时,先在一个衬底上生长N型外延层、量子阱发光层、P型外延层,刻蚀出制作N电极的N型外延层的材料面和LED微晶粒间的绝缘隔离跑道后,分别在P型外延材料制作电流阻挡层、ITO透明导电层和金属电极;然后通过激光划片工艺沿所述隔离跑道进行切割,得到模块化阵列式高压LED芯片。本发明能同时得到30V和60V的阵列式高压芯片,并降低了芯片制造成本,给芯片的加工提供了多种可供选择的方案。
搜索关键词: 一种 模块化 阵列 高压 led 芯片 及其 制造 方法
【主权项】:
一种模块化阵列式高压LED芯片,其特征在于,由至少一个单元模块组成,该单元模块包含至少一个LED微晶粒;各LED微晶粒之间互相绝缘隔离集成于衬底上,且各单元模块中的LED微晶粒之间以及单元模块之间通过互联引线的方式串联在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410034788.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top