[发明专利]一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法无效
申请号: | 201410034788.8 | 申请日: | 2014-01-24 |
公开(公告)号: | CN103762222A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 詹腾;郭金霞;田婷;伊晓燕;王莉;李璟;王国宏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法,芯片由至少一个单元模块组成,该单元模块包含至少一个LED微晶粒;各LED微晶粒之间互相绝缘隔离集成于衬底上,且各单元模块中的LED微晶粒之间以及单元模块之间通过互联引线的方式串联在一起。在制造时,先在一个衬底上生长N型外延层、量子阱发光层、P型外延层,刻蚀出制作N电极的N型外延层的材料面和LED微晶粒间的绝缘隔离跑道后,分别在P型外延材料制作电流阻挡层、ITO透明导电层和金属电极;然后通过激光划片工艺沿所述隔离跑道进行切割,得到模块化阵列式高压LED芯片。本发明能同时得到30V和60V的阵列式高压芯片,并降低了芯片制造成本,给芯片的加工提供了多种可供选择的方案。 | ||
搜索关键词: | 一种 模块化 阵列 高压 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种模块化阵列式高压LED芯片,其特征在于,由至少一个单元模块组成,该单元模块包含至少一个LED微晶粒;各LED微晶粒之间互相绝缘隔离集成于衬底上,且各单元模块中的LED微晶粒之间以及单元模块之间通过互联引线的方式串联在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的