[发明专利]半导体装置和信息读取方法

摘要

本发明提供了半导体装置和信息读取方法。所述半导体装置包括：记忆元件，其被构造成能够采取彼此可区别开的多个电阻状态；偏置施加部，其被构造用来在偏置施加周期内向所述记忆元件施加偏置信号；以及判定部，其被构造用来基于检出信号而判定所述记忆元件的电阻状态，其中所述检出信号是在被施加了所述偏置信号的所述记忆元件中生成的。当由所述判定部判定的所述电阻状态是所述多个电阻状态之中预定的一个电阻状态时，所述偏置施加部根据所述记忆元件的电阻值来设定所述偏置施加周期的长度。本发明的半导体装置和信息读取方法能使读取干扰难以发生。

主权项

1.一种半导体装置，其包括：记忆元件，它被构造成能够采取彼此可区别开的多个电阻状态；偏置施加部，它被构造用来在偏置施加周期内向所述记忆元件施加偏置信号；以及判定部，它被构造用来基于检出信号而判定所述记忆元件的电阻状态，所述检出信号是在被施加了所述偏置信号的所述记忆元件中生成的，其中，当由所述判定部判定的所述电阻状态是所述多个电阻状态之中预定的一个电阻状态时，所述偏置施加部根据所述记忆元件的电阻值来设定所述偏置施加周期的长度，其中所述判定部包括：读出放大器，它被构造用来基于所述检出信号而生成第一信号，所述第一信号的电压在所述偏置施加周期内沿与所述记忆元件的所述电阻状态对应的电压方向且以与所述记忆元件的所述电阻值对应的速度发生变化；以及比较器，它被构造用来通过比较参考电压与所述第一信号的所述电压而生成第二信号，所述第二信号表示出所述记忆元件的所述电阻状态。