[发明专利]一种紫外探测器及其制作方法在审
申请号: | 201410035671.1 | 申请日: | 2014-01-24 |
公开(公告)号: | CN104810425A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 冯飞;林立伟;杨晨;王跃林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种紫外探测器及其制作方法,该探测器从下而上依次由绝缘衬底、下电极、紫外敏感薄膜、金属上电极和石墨烯透明电极构成。所述下电极分为两种:一种是由单金属或复合金属薄膜;另一种下电极由透明导电薄膜ITO和制作在该薄膜上环绕在紫外敏感薄膜周围的金属电极构成,环状金属电极与ITO薄膜之间为欧姆接触,环状金属电极由金或铂构成。紫外敏感薄膜可以是氮化镓、掺铝氮化镓、氧化锌、掺镁氧化锌、碳化硅和金刚石中的某一种材料。金属上电极由金或铂构成,可采用长条状或环状或网状结构。完整的石墨烯透明电极覆盖在紫外敏感薄膜和大部分金属上电极上方。本发明所涉及的紫外探测器具有紫外辐射透过率高、量子效率高的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 紫外 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种紫外探测器,其特征在于,所述紫外探测器至少包括:绝缘衬底;位于该绝缘衬底上的下电极;位于所述下电极上的紫外敏感薄膜;位于所述紫外敏感薄膜上的图形化上电极;位于所述图形化上电极上覆盖大部分上电极的石墨烯透明电极;所述石墨烯透明电极与所述紫外敏感薄膜接触。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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