[发明专利]薄膜晶体管阵列面板在审
申请号: | 201410037715.4 | 申请日: | 2014-01-26 |
公开(公告)号: | CN103972240A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 朴廷敏;朴成均;李政洙;金智贤;田俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。可以形成触孔接以暴露设置在TFT阵列面板的基板上的焊盘。连接构件的第一层用与第一场产生电极相同的层形成且设置在接触孔中。第二钝化层设置在TFT阵列面板中,但是在形成接触孔的区域被去除并且第二钝化层的覆盖连接构件的第一层的部分被去除。连接构件的第二层形成在连接构件的第一层上。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列面板,包括:基板;栅极线和栅极焊盘,设置在所述基板上;栅极绝缘层,设置在所述栅极线和所述栅极焊盘上;数据线和数据焊盘,设置在所述栅极绝缘层上;第一钝化层,设置在所述数据线和所述数据焊盘上;有机层,设置在所述第一钝化层上;第一场产生电极,设置在所述有机层上;以及第二钝化层,设置在所述第一场产生电极上,其中所述有机层设置在包括所述栅极焊盘的第一区域中,并且所述有机层设置在包括所述数据焊盘的第二区域中,并且其中所述第二钝化层不设置在所述第一区域和所述第二区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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