[发明专利]一种DMOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410037725.8 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104810288A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 何昌;蔡远飞;姜春亮 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种DMOS器件的制造方法，包括如下步骤：在硅衬底的外延层表面形成初始氧化层；利用掩膜版对形成有所述初始氧化层的硅衬底进行光刻和刻蚀，在所述初始氧化层上形成有源区图形和位于所述有源区图形区域内的源极注入阻挡层；在所述初始氧化层的有源区图形区域内形成栅极；利用所述源极注入阻挡层和所述栅极作为掩膜在所述外延层内部形成源极扩散区和漏极扩散区。本发明的DMOS器件的制造方法减少了传统工艺中所使用的掩膜版的层数，因此简化了产品加工工艺，缩短了产品加工流程，提高了产品的生产效率和经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种DMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅衬底的外延层表面形成初始氧化层；利用掩膜版对形成有所述初始氧化层的硅衬底进行光刻和刻蚀，在所述初始氧化层上形成有源区图形和位于所述有源区图形区域内的源极注入阻挡层；在所述初始氧化层的有源区图形区域内形成栅极；利用所述源极注入阻挡层和所述栅极作为掩膜在所述外延层内部形成源极扩散区和漏极扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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