[发明专利]具有垂直沟道的半导体器件、电阻式存储器件及制造方法有效
| 申请号： | 201410038482.X | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104425714B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 朴南均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件、包括其的电阻式存储器件及其制造方法。半导体器件包括柱体，其与半导体衬底大体垂直地延伸，所述柱体包括内部部分和包围内部部分的外部部分。结区形成在垂直柱体的上部区域和下部区域中，以及栅极包围柱体。柱体的内部部分包括半导体层，所述半导体层具有大于柱体的外部部分的晶格常数的晶格常数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 沟道 半导体器件 电阻 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：柱体，所述柱体与半导体衬底大体垂直地延伸，所述柱体包括内部部分和包围所述内部部分的外部部分；结区，所述结区形成在所述垂直柱体的上部区域和下部区域中；以及栅极，所述栅极包围所述柱体，其中，所述柱体的所述内部部分包括半导体层，所述半导体层具有大于所述柱体的所述外部部分的晶格常数的晶格常数，其中，所述半导体器件是NMOS晶体管。
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