[发明专利]一种氧化锌基异质结发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410038819.7 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103794692A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王辉;赵洋;吴国光;董鑫;张宝林;杜国同 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 罗民健 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种氧化锌基异质结发光器件，包括衬底、在衬底上外延生长的GaN外延层、设置在GaN外延层上的正电极、ZnO发光层和设置在ZnO发光层上的负电极，GaN外延层上还设置有一个独立于正电极的电流限制层，ZnO发光层设置在电流限制层上，该电流限制层为i型NiO薄膜，GaN外延层为p型GaN薄膜，ZnO发光层为n型ZnO薄膜。本发明制得的氧化锌基异质结发光器件，使用NiO作为电流限制夹层能够有效的将电子阻挡在ZnO一侧，能进一步增加向ZnO发光层一侧注入的空穴数量，提高了n型ZnO层的紫外发光效率，进一步拓展了器件的应用范围和使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 基异质 结发 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锌基异质结发光器件，包括衬底（1）、在衬底（1）上外延生长的GaN外延层（2）、设置在GaN外延层（2）上的正电极（6）、ZnO发光层（4）和设置在ZnO发光层（4）上的负电极（5），其特征在于：所述的GaN外延层（2）上还设置有一个独立于正电极（6）的电流限制层（3），ZnO发光层（4）设置在电流限制层（3）上，该电流限制层（3）为i型NiO薄膜，所述的GaN外延层（2）为p型GaN薄膜，ZnO发光层（4）为n型ZnO薄膜。
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