[发明专利]基于金刚石衬底的氮化物半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410038850.0 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103779193A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;裴风丽 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于金刚石衬底的氮化物半导体器件及其制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、提供金刚石衬底；S2、在金刚石衬底上采用HVPE(氢化物气相外延法)生长第一氮化物半导体层；S3、在第一氮化物半导体层上采用MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积法)生长第二氮化物半导体层。本发明不用引入介质层，因此氮化物半导体和金刚石衬底界面处的热阻小，材料散热性能好；采用HVPE和MOCVD相结合生长氮化物半导体层具有生长速度快，生长质量优良等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金刚石 衬底 氮化物 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于金刚石衬底的氮化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、提供金刚石衬底；S2、在金刚石衬底上采用HVPE生长第一氮化物半导体层；S3、在第一氮化物半导体层上采用MOCVD生长第二氮化物半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州能讯高能半导体有限公司，未经苏州能讯高能半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410038850.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
