[发明专利]非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷及制备方法

摘要

本发明公开了一种非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷及制备方法。其组成为(1-x)BaTiO₃/xNi0.5Zn0.5Fe₂O₄，0.7≤x≤0.9，以NZFO晶相为主相，BTO非晶相为原位形成且完全致密填充在NZFO晶粒间，实现对NZFO晶粒的均匀包裹和隔离，形成由BTO非晶相包裹NZFO晶粒的两相复合陶瓷。制备方法为：首先烧结得到致密的BTO/NZFO复合陶瓷；然后，将烧结温度迅速升高，使体系中含量较少的BTO相完全融化成液态，将NZFO相的晶粒完全分隔开来。最后，将复相陶瓷快速冷却至室温，将NZFO晶粒间的熔融态BTO固化成玻璃态。本发明的复相陶瓷，其密度可比传统方法制备的陶瓷至少提高10%，具有高介电常数、高磁导率和低电磁损耗。

主权项

一种非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷，其特征在于：该复相陶瓷的组成为(1‑x)BaTiO₃/xNi_0.5Zn_0.5Fe₂O₄ ，0.7≤x≤0.9，以NZFO晶相为主相，BTO非晶相为原位形成且完全致密填充在NZFO晶粒间，实现对NZFO晶粒的均匀包裹和隔离，形成了一个由BTO非晶相均匀包裹NZFO晶粒的铁电/铁磁两相复合陶瓷。