[发明专利]二极管、三极管的后端检测方法

摘要

本发明公开了一种二极管、三极管的后端检测方法，该方法包括一窗测试和二窗测试，一窗测试包括潜在危险测试、无危险测试和关键测试；二窗测试包括无危险测试和关键测试，关键测试主要包含了正向电压、电流放大倍数、漏电流、正向直流电流以及最大流通电流在内的参数测试。本发明分为两个测试步骤，测试的准确率增高，测试参数多，检测范围大，设有潜在危险测试，对产品的反向击穿、大饱和电流、大电流开启测试以及大电流增益进行测试，增加了产品在潜在危险状态工作的正常率，测试后的产品性能更优，更能排除潜藏的残次品。

主权项

二极管、三极管的后端检测方法，它主要用于二极管、三极管封装测试，保证测试流程的一致性，其特征在于：它包括一窗测试和二窗测试，其中，所述的一窗测试包括以下步骤：S11：将待测产品送入一窗测试座内；S12：待测产品在一窗测试座内进行潜在危险测试，潜在危险测试包括反向击穿测试、大电流增益测试、大饱和电流测试和大电流开启测试；S13：待测产品在一窗测试座内进行无危险的测试，无危险测试包括基本参数初测和QA测试，无危险测试优化大量的测试时间；S14：待测产品在一窗测试座内进行关键测试；所述的二窗测试包括以下步骤：S21：待测产品在二窗测试座内实现无危险测试，无危险测试包括基本参数初测和QA测试，无危险测试优化大量测试时间；S22：测试产品在二窗测试座内实现关键测试；S23：二窗测试完毕后，将测试产品送出二窗测试座。