[发明专利]磁控溅射制备导电薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410039632.9 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103774110B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 郑芳平;张迅;易伟华 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁控溅射制备导电薄膜的方法。该方法包括提供基板，将所述基板放入磁控溅射腔室中；提供阴极和靶材，将所述阴极和靶材放入所述磁控溅射腔室中；以及在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜的步骤。这种方法同时采用溅射直流溅射镀膜和射频溅射在基板上溅射镀膜。经实验表明，该方法能够在较低的电压下镀膜，能够避免直流磁控溅射镀膜存在的电阻率高和透射率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 制备 导电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射制备导电薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基板，将所述基板放入磁控溅射腔室中；提供阴极和靶材，将所述阴极和靶材放入所述磁控溅射腔室中；以及在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜；所述在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜时，功率密度为0.64W/CM2；所述在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜时，工艺气体的流量为150sccm；靶材与基板的距离为90mm，所述基板的运行速度为0.56m/min；所述在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜时，靶面磁场强度为290GS，工作压强为0.5Pa，溅射电压为198V。
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