[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410041840.2 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104810383B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳;林正基;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底、隔离结构、栅极结构、源极区与漏极区、以及导体层；源极区与漏极区位于基底中；隔离结构位于源极区与漏极区之间；栅极结构位于源极区与隔离结构之间的基底上；导体层位于基底上方，至少自源极区上方延伸至隔离结构上方，且电性连接源极区；基底包括第一区与第二区，在第二区的源极区的轮廓的曲率大于在第一区的源极区的轮廓的曲率，且在第二区上方的覆盖隔离结构的导体层的部分的宽度大于在第一区上方的覆盖隔离结构的导体层的部分的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一具有第一导电型的一源极区与具有该第一导电型的一漏极区，位于一基底中；一隔离结构，位于该源极区与该漏极区之间；一栅极结构，位于该源极区与该隔离结构之间的该基底上；一导体层，位于该基底上方，至少自该源极区上方延伸至该隔离结构上方，且电性连接该源极区，其中，该基底包括一第一区与一第二区，在该第二区的该源极区的轮廓的曲率大于在该第一区的该源极区的轮廓的曲率，且该第二区的覆盖该隔离结构的该导体层的部分的宽度大于该第一区的覆盖该隔离结构的该导体层的部分的宽度。
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