[发明专利]复合微机电系统芯片及其制作方法有效
申请号: | 201410042030.9 | 申请日: | 2014-01-28 |
公开(公告)号: | CN104803343A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 康育辅;罗炯成 | 申请(专利权)人: | 立锜科技股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 刘光明;陆锦华 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出一种复合微机电系统芯片及其制作方法。复合微机电系统芯片包括覆盖层与组件复合层,覆盖层包括一基板,其中该基板具有一第一区域及一第二区域,该第一区域具有多个第一蚀刻槽,该第二区域具有多个第二蚀刻槽,每一第一蚀刻槽及每一第二蚀刻槽具有相同的蚀刻深度,该第一区域的第一蚀刻式样密度高于该第二区域的第二蚀刻式样密度,以构成不同压力的腔室。 | ||
搜索关键词: | 复合 微机 系统 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种复合微机电系统芯片制作方法,其步骤包含:制作一覆盖晶圆,其步骤包括:提供一第一基板;对该第一基板的一第一区域及一第二区域同时蚀刻,以分别在该第一区域形成多个第一蚀刻槽以及在该第二区域形成多个第二蚀刻槽,其中每一第一蚀刻槽及每一第二蚀刻槽具有相同的一蚀刻深度,该第一区域的一第一蚀刻式样密度高于该第二区域的一第二蚀刻式样密度;制作一组件晶圆,包括一第二基板及在该第二基板上的一第一MEMS组件及一第二MEMS组件;以及将该覆盖晶圆与该组件晶圆结合,藉此在该覆盖晶圆与该组件晶圆之间,对应于该第一区域与该第二区域之处,分别形成一第一腔室与一第二腔室,其中该第一腔室容纳该第一MEMS组件且该第二腔室容纳该第二MEMS组件。
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