[发明专利]氮化镓LED制备方法、氮化镓LED和芯片有效
| 申请号： | 201410042037.0 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103794687B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡武;郑远志;周德保;杨东;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种氮化镓LED制备方法、氮化镓LED和芯片，该方法包括在经过热处理的衬底上依次生长氮化镓成核层、未掺杂氮化镓层、N掺杂氮化镓层、量子阱过渡层、多量子阱层、P掺杂氮化镓层和接触层；其中，反应室在经过热处理的衬底上依次生长氮化镓成核层、未掺杂氮化镓层、N掺杂氮化镓层、量子阱过渡层、多量子阱层、P掺杂氮化镓层和接触层；其中，在开始生长N掺杂氮化镓层至结束生长多量子阱层的时间段内，进行至少一次热退火处理。能够较大程度地降低外延内应力，降低LED的蓝移，提升材料抗静电性能，并能提升量子阱的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 led 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
一种氮化镓LED制备方法，其特征在于，包括：在经过热处理的衬底上依次生长氮化镓成核层、未掺杂氮化镓层、N掺杂氮化镓层、量子阱过渡层、多量子阱层、P掺杂氮化镓层和接触层；其中，在开始生长所述N掺杂氮化镓层至结束生长所述多量子阱层的时间段内，进行至少一次热退火处理；所述在开始生长所述N掺杂氮化镓层至结束生长所述多量子阱层的时间段内，进行至少一次热退火处理包括：在生长所述多量子阱层中，每次结束生长阱包覆层时进行一次所述热退火处理，其中，所述多量子阱层为按照设定周期依次生长的至少一组垒层、阱层和阱包覆层；所述热退火处理前的温度为760℃，所述热退火处理的退火温度为500℃～600℃，退火升降温速率为50℃/min～100℃/min，退火时间为3min～5min，退火的气体为氢气H2和/或氮气N2。
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