[发明专利]MOS晶体管的测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201410042176.3 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104808126B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MOS晶体管的测试结构及测试方法。所述MOS晶体管包括衬底、源极、漏极以及栅极，所述MOS晶体管的测试结构包括第一驱动电极，通过第一导电插塞连接至所述源极；第一感应电极，通过第二导电插塞连接至所述源极；第二驱动电极，通过第三导电插塞连接至所述漏极；第二感应电极，通过第四导电插塞连接至所述漏极；第三驱动电极，通过第五导电插塞连接至所述栅极；第三感应电极，通过第六导电插塞连接至所述栅极。本发明提供的MOS晶体管的测试结构和测试方法，消除了因测试电极的寄生电阻和导电插塞的寄生电阻对测试结果的影响，提高了测试MOS晶体管电阻的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的测试结构，所述MOS晶体管包括衬底、源极、漏极以及栅极，其特征在于，所述MOS晶体管的测试结构包括：第一驱动电极，通过第一导电插塞连接至所述源极；第一感应电极，通过第二导电插塞连接至所述源极；第二驱动电极，通过第三导电插塞连接至所述漏极；第二感应电极，通过第四导电插塞连接至所述漏极；第三驱动电极，通过第五导电插塞连接至所述栅极；第三感应电极，通过第六导电插塞连接至所述栅极；所述第二导电插塞到所述栅极的距离以及所述第四导电插塞到所述栅极的距离均可调；或者，所述第二导电插塞和第四导电插塞中的一个到所述栅极的距离为最小安全距离，另一个到所述栅极的距离可调。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410042176.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
