[发明专利]研磨方法在审
| 申请号： | 201410042207.5 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104810270A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;B24B37/11 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种研磨方法，包括以下步骤：提供待研磨的氮化镓基板；对所述氮化镓基板进行第一化学机械研磨；对所述氮化镓基板进行第二化学机械研磨，所述第二化学机械研磨的研磨速率小于所述第一化学机械研磨的研磨速率。本发明的技术方案具有以下优点：先进行粗磨的第一化学机械研磨，以去除部分待研磨的氮化镓材料，保证一定的研磨速率；而后进行相对于所述第一化学机械研磨为细磨的第二化学机械研磨，以保证最后的氮化镓基板的表面的平整度，尽量避免在的氮化镓基板的表面产生划伤。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待研磨的氮化镓基板；对所述氮化镓基板进行第一化学机械研磨，所述第一化学机械研磨为粗磨；对所述氮化镓基板进行第二化学机械研磨，所述第二化学机械研磨相对于所述第一化学机械研磨为细磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
