[发明专利]石墨烯薄膜及其制法和用途有效
申请号: | 201410042237.6 | 申请日: | 2014-01-28 |
公开(公告)号: | CN104803372B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 金虎;常博文;殷洪康;陈新瑶;王增奎;彭鹏;周振义 | 申请(专利权)人: | 常州二维碳素科技股份有限公司 |
主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184;C01B32/19 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人: | 钟守期,王媛 |
地址: | 213149 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种石墨烯薄膜的制备方法,包括以下步骤(1)制备生长石墨烯薄膜的载体,所述载体是由隔板与金属衬底间隔叠加而形成的多层隔板‑金属衬底结构;(2)将所述载体置于反应炉中,在真空或惰性气体与还原气体的混合气下加热;(3)温度至900‑1100℃时,向反应炉中通入惰性气体和还原气体并保温退火,然后施加碳源,在金属衬底上形成石墨烯薄膜;(4)将隔板与金属衬底分离;(5)将石墨烯薄膜与金属衬底分离。本发明还涉及由本发明方法制备的石墨烯薄膜以及所述石墨烯薄膜作为透明导电电极的用途。 | ||
搜索关键词: | 石墨 薄膜 及其 制法 用途 | ||
【主权项】:
一种石墨烯薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)制备生长石墨烯薄膜的载体,所述载体是由隔板与金属衬底间隔叠加而形成的多层隔板‑金属衬底结构;(2)将所述载体置于反应炉中,在真空或惰性气体与还原气体的混合气体下加热;(3)温度至900‑1100℃时,向反应炉中通入惰性气体和还原气体并保温退火,然后施加碳源,在金属衬底上形成石墨烯薄膜;(4)将隔板与金属衬底分离;(5)将石墨烯薄膜与金属衬底分离。
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