[发明专利]空心介孔氧化硅球和空心介孔有机硅球的制备方法有效
| 申请号： | 201410042369.9 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103833040A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吴玫颖;陈雨;陈立松;陈英;施剑林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种空心介孔氧化硅球和空心介孔有机硅球的制备方法，首先通过溶胶-凝胶法加表面活性剂导向法合成出高度分散、粒径均一的实心核/介孔壳的硅球；再通过盐离子辅助的酸性条件下水热处理除去实心核而保持外壳完整，获得了空心型介孔氧化硅/有机硅球。本发明的合成方法简单易行，反应温和，易调控，方法新颖；合成的空心介孔球在药物输运、吸附、分离和催化等领域具有极其广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 空心 氧化 有机硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种空心介孔氧化硅球的制备方法，其特征在于，包括：（1）采用溶胶凝胶法合成实心氧化硅球作为实心核，再将硅源和表面活性剂包覆于所述实心氧化硅球的表面，离心分离得到具有实心核和介孔壳结构的双层氧化硅球；（2）将所得双层氧化硅球分散在水中，添加含有无机盐和酸的溶液作为蚀刻剂，于100～250℃下水热处理5～30小时以去除所述实心核；以及（3）在500～600 ℃煅烧4～8小时以除去表面活性剂。
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