[发明专利]QFN 框架制作方法在审
| 申请号： | 201410043037.2 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103824782A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张卫红;张童龙 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种QFN框架制作方法，包括步骤：S101：提供一定厚度的金属片条；S102：在所述金属片条的正面和背面镀感光材料，之后在金属片条的正面和背面分别进行掩膜；S103：对金属片条正面和背面分别进行光刻，以在正面形成一定密度分布的金属布线、且在背面形成金属凸点；S104：将芯片与金属布线电连接，并用塑封底填料将芯片固定和封装在金属片条上；S105：将金属片条背面腐蚀直至分隔开正面的不同金属布线。本发明提供的QFN框架制作方法，既可以在金属的正面进行布线，又可以以节约快捷的方法完成金属背面凸点的形成，成本较低，具有较好的实际操作性，并且封装体的厚度也适应了越来越薄的趋势。 | ||
| 搜索关键词： | qfn 框架 制作方法 | ||
【主权项】：
一种QFN框架制作方法，其特征在于，包括步骤：S101：提供一定厚度的金属片条；S102：在所述金属片条的正面和背面镀感光材料，之后在金属片条的正面和背面分别进行掩膜；S103：对金属片条正面和背面分别进行光刻，以在正面形成一定密度分布的金属布线、且在背面形成金属凸点；S104：将芯片与金属布线电连接，并用塑封底填料将芯片固定和封装在金属片条上；S105：将金属片条背面腐蚀直至分隔开正面的不同金属布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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