[发明专利]具备ESD保护电路的半导体装置

摘要

本发明提供面积小的ESD保护电路。具备：一端与输入端子（11）连接的、N型阱内的P型扩散电阻（12）；在与电源端子连接的N型阱与扩散电阻（12）之间的二极管（14）；栅极及源极与接地端子连接、漏极与扩散电阻（12）的另一端连接的NMOS晶体管（15）；以及在电源端子与接地端子之间产生的寄生二极管。

主权项

1.一种具备ESD保护电路的半导体装置，其特征在于，具有：P型半导体衬底；设于所述P型半导体衬底的N型阱；设于所述N型阱内的P型扩散电阻；在所述N型阱与所述P型扩散电阻之间形成的二极管；设于所述P型半导体衬底的第1 NMOS晶体管及第2 NMOS晶体管；设于所述P型半导体衬底的接地端子；以及设于所述N型阱的电源端子，所述P型扩散电阻的一端与输入端子连接，另一端与所述第1 NMOS晶体管的漏极连接，进而与内部电路连接，所述第1 NMOS晶体管的栅极及源极与所述接地端子连接，所述第2 NMOS晶体管的漏极与所述电源端子连接，所述第2 NMOS晶体管的栅极及源极与所述接地端子连接。