[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201410043857.1 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103972292A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 折附泰典;樽井阳一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其防止由于浪涌电流流过源极区域而引起的寄生双极动作，防止设备的损坏。该半导体装置具有：n型的漂移层（2），其形成在半导体衬底（1）的主表面上；p型阱区域（3），其在漂移层（2）的上层部选择性地形成多个；n型的源极区域（4），其形成在p型阱区域（3）的表面内；以及p型的接触区域（5），其以与源极区域（4）相邻的方式形成在p型阱区域（3）的表面内，比源极区域（4）浅。另外，具有n型的附加区域（6），其在与接触区域（5）的下方对应且与p型阱区域（3）相比较深的位置处，以与p型阱区域（3）的底面接触的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：第1导电型的半导体层；第2导电型的第1阱区域，其在所述半导体层的表面内选择性地配置多个；第1导电型的第1半导体区域，其在所述第1阱区域的表面内选择性地配置；第2导电型的第2半导体区域，其在所述第1阱区域内与所述第1半导体区域连接；主电极，其从所述第2半导体区域上开始配置至所述第1半导体区域的至少一部分的上部为止；栅极绝缘膜，其从所述第1半导体区域的至少一部分的上部开始配置至所述半导体层的上部为止；栅极电极，其配置在所述栅极绝缘膜上；以及第1导电型的第3半导体区域，其在与所述第2半导体区域的下方对应且与所述第1阱区域相比较深的位置处，以与所述第1阱区域的底面接触的方式形成，所述第3半导体区域的第1导电型的杂质浓度比所述半导体层高。
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