[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201410043936.2 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN103972349B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 朴范斗;黄善教;金台镇 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李玉锁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种发光器件,包括:导电衬底;第一电极层,布置在导电衬底上;发光结构,布置在第一电极层上,该发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层;第二电极层,电连接至第二半导体层;以及抗裂层,布置在边界上,发光结构沿该边界以芯片为单位被分割,其中抗裂层被布置在发光结构下方并包括欧姆接触发光结构的金属材料。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
【主权项】:
1.一种发光器件,包括:导电衬底;第一电极层,布置在所述导电衬底上,其中该第一电极层进一步包括金属粘合层;发光结构,布置在所述第一电极层上,该发光结构包括:第一半导体层;第二半导体层;以及有源层,布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间,其中该发光结构还包括窗口层与该发光结构的下部接触;第二电极层,电连接至所述第二半导体层;以及抗裂层,布置在边界上,所述发光结构沿所述边界以芯片为单位被分割,其中所述抗裂层被布置在所述窗口层下方并包括欧姆接触所述窗口层的金属材料,所述抗裂层与所述第一电极层齐平,其中所述抗裂层与所述窗口层的下部和所述第一电极层的金属粘合层分别接触,并且所述抗裂层被非连续地布置在所述发光结构的外周上。
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