[发明专利]半导体器件及其生产方法有效
| 申请号： | 201410043965.9 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103972170B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | J·科租比;M·莱度特克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，包括将增强晶片应用于半导体晶片，由此形成复合晶片。该方法还包括分割复合晶片，由此生成多个复合芯片，每个复合芯片包括半导体芯片和增强芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：用可释放胶将增强晶片胶合至半导体晶片的第一主表面，由此形成复合晶片；分割所述复合晶片，由此生成多个复合芯片，每个复合芯片包括半导体芯片和增强芯片；将所述多个复合芯片中的至少一个复合芯片接合到基板；以及在接合所述多个复合芯片中的所述至少一个复合芯片期间或者之后，使所述增强芯片与所述半导体芯片分离，并且其中在单个热处理内执行将所述多个复合芯片中的所述至少一个复合芯片接合到所述基板并且使所述增强芯片与所述半导体芯片分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
